101年 - [無官方正解]101 國立嘉義大學_電子物理學系光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題：電子學#146251

1. 在室溫時，二極體電流為 4.3mA，則其交流順向電阻為多少歐姆？Ω。(A) 1 (B) 2 (C) 4 (D) 6

2. 下列關於理想二極體的敘述，何者錯誤？(A) 順向時視為短路，逆向時視為開路 (B) 順向電阻等於零，逆向電阻無限大(C) 無順向電壓降，無逆向電流 (D) 順向電壓等於零，逆向電流無限大。

3. 將硼(As)元素摻進純矽晶體內，則成為_______ 材料。(A) N 型 (B) P 型 (C) I 型 (D) J 型

4. 當 P 型及 N 型材料相接觸時，即會產生一空乏區，而 P 型半導體之空乏區內應有 (A) 電洞 (B) 電子 (C) 負離子 (D) 正離子。

5. 下列有關共集極放大電路之敘述何者正確？ (A) 信號由集極輸入 (B) 輸入電阻高 (C) 射極電壓的平均值永遠為 0V (D) 又稱集極隨耦器。

6. 如圖一所示電路，V_BE=0.7 V，則其 I_B 值為
(A) 0.093 mA　 (B) 0.083 mA　 (C) 0.073 mA　 (D) 0.063 mA。

7. 同上題，若 β=50，則 I_C 值為(A) 4.65 mA　 (B) 4.15 mA　 (C) 3.65 mA　 (D) 3.15 mA。

7. 同上題，若 β=50，則 I_C 值為( A ) 4.65 mA　 ( B ) 4.15 mA　 ( C ) 3.65 mA　 ( D ) 3.15 mA。
8. 同上題，則 V_CE 值為(A) 8 V (B) 7.3 V (C) 6.35 V (D) 5.35 V。

9. 如圖二所示之電路，在 V_GS=0 時，測出的 I_DS=10mA，當 V_gg 增至 5V 時，I_DS=0，求此 JFET 在 V_GS=－3V 時的 I_DS 值為多少 mA？
(A) 6.4 (B) 2.8 (C) 1.6 (D) 0.9 mA。

10. 同上題，若 V_gg=6 V，求此 JFET 的 I_DS 值為多少 mA？_____mA。(A) 0 (B) 1 (C) -1 (D) -2

11. 如圖三為採用理想的運算放大器，則輸出電壓 V₀ 為
(A) +2.5 (B) -2.5 　 (C) +1.5　 (D) -1.5　V。

12. 有關理想運算放大器的特性描述，下列何者 錯誤 ？(A) 開路電壓增益\( A_{vo} \rightarrow \infty \) 　(B) 輸入阻抗\( R_i \to \infty \) 　(C) 輸出阻抗\( R_o \rightarrow \infty \) 　 (D) 頻帶寬度\( BW \to \infty \) 。

13. 下列何種組態，其輸出訊號與輸入訊號反相180° ？(A) 共源極 (B) 共汲極 (C) 共閘極 (D) 共集極。

14. 如圖四之電路，若 \( R_D = 20\text{k}\Omega \)，\( g_m = 2\text{mA/V} \)，\( r_d = 20\text{k}\Omega \)，其電壓放大率 A_v 為
(A) -50 (B) -40　 (C) -20　 (D) -10。

15. 要使 P 通道增強型的 MOSFET 導通，其閘極偏壓應為(A) 正電壓　 (B)負電壓　 (C)正、負電壓均可　 (D)零。

16. 某一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓\( V_{\text{th}} = 3\text{V} \) ，試計算在\( V_{GS} = 10\text{V} \)的互導值為\( (K = 0.3 \, \text{mA/V}^2) \) _____mS。(A) 4.2　(B) 3　(C) 2.1　(D)1.8　 。

17. 圖五的電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路，設 MOSFET 的\( I_{DSS} = 9\text{mA} \) , \( V_p = -4.5\text{V} \)， 則直流偏壓值為

圖五 (A)(B)(C) 　 (D)

18. 一功率放大器的輸入功率為 1W，若其功率增益為 20dB，則此放大器之輸出功率為 _____W。　(A) 10　(B) 20　(C) 100　(D) 200　

19. 如圖六所示，其輸出阻抗為

圖六 (A)等於100kΩ//100kΩ (B) 等於 1 kΩ (C) 大於 1 kΩ (D) 甚小於 1kΩ。

20. 如圖七所示，Q₁ 與 Q₂ 為匹配(matched)之電晶體且皆操作於作用區(active region)，而 ，求 =
(A) (B) (C) (D) 。 .

二、計算題(每題 10 分，共 40 分)
1. 如圖八的電晶體電路，β=100，試以近似解法求電晶體的 I_C，V_CE，Z_i，Z_o 及A_v=V_o/V_i

2.如圖九的電路，若稽納二極體的膝部電流 I_ZK=2 mA，最大功率消耗為 0.96W，求欲使稽納二極體保有穩壓功能的 R 的範圍

(1)小信號模型輸出電阻r_O 等於多少 kΩ ？

(2)此電路之小信號電壓增益等於多少？

(1) Q₁ 電晶體之直流操作點之集極電流 I_CQ1 等於多少 mA？

(2) Q₂ 電晶體之小信號模型轉移電導 g_m 等於多少 mA/V ?