重新載圖重新載圖19 如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻 3dB 頻率 ωH遠高於低頻 3dB 頻率 ωL，忽略 元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？ 
phpL8WXzq

(A)降低 RS可提高中頻增益
(B)降低 CS可增加 ωH - ωL
(C)降低 CD可增加 ωH - ωL
(D)增加 RG可增加 ωH - ωL

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統計： A(32), B(61), C(51), D(48), E(5) #845951

詳解 (共 10 筆)

#2197303
讓我來教你如何釋疑吧     第一  不...
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#2208459
原本答案為B,C,修改為B,C,D
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#1483470
阿摩請改題目和答案，題目下列敘述何者正確？答案:D
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#2213610
原本答案為B,C,D,修改為B,C
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#1484040

D--->  B / C 皆錯  

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#2196755
所以這題答案究竟是多少? 有哪位大大可以...
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#1484329
原本答案為D,修改為B,C
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#1484194

pole大大可以詳解一下嗎 

這題我有兩個問題

1）旁路電容影響的應該是低頻不良 為何這題求得是高頻W?

2）1/RsCs＋1/RdCd＝W 所以四個參數不論誰下降 W都是上升的 為何大大會認為說BCD皆錯了！？

感謝解答

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#1483719
原本答案為B,修改為D
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#1225933
????
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7670280
未解鎖
共源極放大器的頻寬與元件影響判斷 ...
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