11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源  Vs = 2mV，內阻 Rs = 1kΩ，負載電阻 RL = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓Vo為何？ (A)180mV (B)720mV (C)900 mV (D)1.44V

11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源 V_s = 2mV，內阻 R_s= 1kΩ，負載電阻 R_L = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓V_o為何？
(A)180mV
(B)720mV
(C)900 mV
(D)1.44V

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B1 · 2026/10/18

#7603432

考點分貝（dB）與電壓倍率的換算：電...

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12. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？ (A)FET內部通道靠近汲極(Drain)端之有效截面積，會比靠近源極(Source)端來得窄 (B)為了維持在飽和區工作，汲極與源極間電壓( VDS)必須小於夾止電壓(VP)或過驅動電壓 (C)無論何種N通道 FET，其閘極與源極間電壓( VGS)皆必須大於零才能產生汲極電流 (D)FET內部靠近汲極端所形成的空乏區寬度，會比靠近源極端的空乏區窄

11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源 V_s = 2mV，內阻 R_s= 1kΩ，負載電阻 R_L = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓V_o為何？
(A)180mV
(B)720mV
(C)900 mV
(D)1.44V

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11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源 Vs = 2mV，內阻 Rs = 1kΩ，負載電阻 RL = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓Vo為何？(A)180mV(B)720mV(C)900 mV(D)1.44V

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(A)180mV
(B)720mV
(C)900 mV
(D)1.44V