13.N通道增強型MOSFET的臨界電壓Vth=3V，閘極對源極電壓VGS=5V，常數K=0.5mA/V2，則此電晶體的互導gm為： (A)4mS (B)3mS (C)2mS (D)1mS

15.在場效應電晶體(JFET)的小信號參數中，△vds為汲極對源極的電壓變動量，△vgs為閘極對源極的電壓變動量，△id為汲極電流的變動量，其汲極與源極間交流電阻(或汲極電阻)rds的定義為： (A)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{ds}}}{\Delta v_{\text{gs}}} \)，當△id為零 (B)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{ds}}}{\Delta i_{\text{d}}} \)，當△vgs為零 (C)\(r_{\text{ds}} = \frac{\Delta i_{\text{d}}}{\Delta v_{\text{ds}}}\)，當△vgs為零 (D)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{gs}}}{\Delta v_{\text{ds}}} \)，當△id為零

13.N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_th=3V，閘極對源極電壓V_GS=5V，常數K=0.5mA/V²，則此電晶體的互導g_m為：
(A)4mS
(B)3mS
(C)2mS
(D)1mS

相關試題

相關試卷

13.N通道增強型MOSFET的臨界電壓Vth=3V，閘極對源極電壓VGS=5V， 常數K=0.5mA/V2，則此電晶體的互導gm為：(A)4mS(B)3mS(C)2mS(D)1mS

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13.N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_th=3V，閘極對源極電壓V_GS=5V，常數K=0.5mA/V²，則此電晶體的互導g_m為：
(A)4mS
(B)3mS
(C)2mS
(D)1mS