2.下列何者為半導體材料？
(A)雲母
(B)鍺
(C)鋁
(D)銀

3.稽納二極體(Zenerdiode)的稽納電壓VZ=5V，消耗功率PZ=0.5W， 此最大稽納電流IZM為： (A)1A (B)500mA (C)200mA (D)100mA

4.單相半波整流二極體電路的交流側輸入電壓為50 √2sin(377t)V，若 直流輸出側為電阻負載且無電容器作濾波，忽略二極體的壓降， 則電阻負載端的電壓平均值約為： (A)50 √2V (B)45V (C)31.8V (D)22.5V

5.某直流電源供給器的電壓調整率為0.05，滿載電壓為12V，則無載電壓為： (A)13.6V (B)13V (C)12.6V (D)12V

6.在雙極性接面電晶體中，β表示共射極電路的電流增益，α表示共基極電路的電流增益，則β與α的關係為：  (A)\( \beta = \frac{\alpha}{1-\alpha} \)(B)\( \beta = \frac{\alpha}{1+\alpha} \)(C)\( \beta = \frac{1-\alpha}{\alpha} \)(D)\( \beta = \frac{1+\alpha}{\alpha} \)

7.有關雙極性接面型電晶體的共集極放大電路的接線，下列敘述何者正確？ (A)輸入端為基極，輸出端為射極，共同點為集極 (B)輸入端為基極，輸出端為集極，共同點為射極 (C)輸入端為集極，輸出端為射極，共同點為基極 (D)輸入端為射極，輸出端為基極，共同點為集極

8.雙極性接面型電晶體的共射極組態放大電路中，其輸入交流電壓信號與輸出交流電壓信號的相位差為： (A)0度 (B)90度 (C)120度 (D)180度

9.雙極性接面電晶體作為線性放大器操作，需操作何區？ (A)作用(active)區 (B)飽和(saturation)區 (C)飽和區與作用區 (D)飽和區與截止(cut-off)區

10.在雙極性接面電晶體的T型等效電路小信號模型中，若熱電壓 (thermalvoltage)VT=26mV，工作點的直流射極電流IEQ=2mA，則射極交流電阻re為： (A)200Ω  (B)130Ω  (C)20Ω  (D)13Ω 

11.兩級串聯放大電路的第一級電壓增益為−25，第二級電壓增益−10， 若輸入交流信號的電壓為2sin(500t)mV，則輸出交流信號的電壓為： (A)600sin(500t)mV (B)500sin(500t)mV (C)400sin(500t)mV (D)300sin(500t)mV

12.在N通道接面型場效應電晶體(JFET)方面，Vp表示夾止電壓，IDSS為汲極飽和電流，VGS為閘極對源極電壓，在夾止區(或定電流區)的汲極電流ID為： (A)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}} \left( 1 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}} \right) \) (B)\(I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)\) (C) \( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(1-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)(D)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)

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