20. 已知如圖(十四)所示之MOSFET工作於飽和區，且其製程參數 $\mathrm{K} = \frac{1}{2}\mu_{0}C_{0.5} = 0.25$ mA/V²，臨界電壓 $\mathrm{V_T} = 1\mathrm{V}$ ， $\mathrm{V_{DD}} = 5\mathrm{V}$ ， $R_{1} = 2\mathrm{k}\Omega$ ， $R_{2} = 3\mathrm{k}\Omega$ ， $R_{\mathrm{D}} = 2\mathrm{k}\Omega$ ，求 $I_{\mathrm{S}}$ 電流值之大小為何？
(A) $0.3\mathrm{mA}$
(B) $0.7\mathrm{mA}$
(C) $1\mathrm{mA}$
(D) $1.2\mathrm{mA}$  圖(十三)  圖(十四)