25. N 通道增強型MOSFET 之臨界電壓V_T=2V，K=0.5mA/V^2，當MOSFET 導通且V_GS=4V時，I_D為多少？ (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)4mA

25. N 通道增強型MOSFET 之臨界電壓\( V_T=2V \)，\( K=0.5mA/V^2 \)，當MOSFET 導通且\( V_{GS}=4V \)時，\( I_D \)為多少？
(A)1mA
(B)2mA
(C)3mA
(D)4mA

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B1 · 2026/10/18

#7602243

考點觀念這題在考 N 通道增強型 MO...

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32. 如下圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）作為開關控制LED 之電路，已知\( V_{CC}=12V \)、\( V_{in}=5V \)、基極電阻為10kΩ、電晶體電流增益β=200，LED 導通電壓為1.8V，並假設\( V_{BE}=0.7V \)、\( V_{CE(sat)}=0.2V \)。若設計\( R_C=1k\Omega \)，則下列敘述何者正確？ (A)電晶體工作於放大區 (B)電晶體工作於飽和區 (C)LED 電流小於10 mA (D)基極電流不足以驅動電晶體

25. N 通道增強型MOSFET 之臨界電壓\( V_T=2V \)，\( K=0.5mA/V^2 \)，當MOSFET 導通且\( V_{GS}=4V \)時，\( I_D \)為多少？
(A)1mA
(B)2mA
(C)3mA
(D)4mA

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(A)1mA
(B)2mA
(C)3mA
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