3. 一增強型 MOSFET 臨界電壓 $V_T=2V$,當 $V_{GS}=4V$ 時,$I_D=2mA$ 若 $V_{GS}=3V$ 時,則 $I_D$ 為:
(A) 2mA
(B) 1mA
(C) 0.5mA
(D) 3mA
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統計: 尚無統計資料
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