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101年 - [無官方正解]101 國立嘉義大學_電子物理學系光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題：電子學#146327
> 試題詳解
3. 將硼(As)元素摻進純矽晶體內，則成為
(A) N型
(B) P型
(C) I型
(D) J型 材料。
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相關試題
15. 將硼B元素摻進純矽晶體內，則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型 (D)J型 材料。
#182989
4. 當P型及N型材料相接觸時，即會產生一空乏區，而P型半導體之空乏區內應有 (A) 電洞 (B) 電子 (C) 負離子 (D) 正離子。
#4063171
5. 下列有關共集極放大電路之敘述何者正確？ (A) 信號由集極輸入 (B) 輸入電阻高 (C) 射極電壓的平均值永遠為0V (D) 又稱集極隨耦器。
#4063172
6. 則其IB值為 (A) 0.093 mA (B) 0.083 mA (C) 0.073 mA (D) 0.063 mA。
#4063173
7. 同上題，若β=50，則IC值為 (A) 4.65 mA (B) 4.15 mA (C) 3.65 mA (D) 3.15 mA。
#4063174
8. 同上題，則VCE值為 (A) 8 V (B) 7.3 V (C) 6.35 V (D) 5.35 V。
#4063175
9. 求此JFET 在VGS=－3V時的IDS值為多少mA？ (A) 6.4 (B) 2.8 (C) 1.6 (D) 0.9 mA。
#4063176
10. 同上題，若Vgg=6 V，求此JFET的IDS值為多少mA？ (A) 0 (B) 1 (C) -1 (D) -2 mA。
#4063177
11. 如圖三為採用理想的運算放大器，則輸出電壓V0為 (A) +2.5 (B) -2.5 (C) +1.5 (D) -1.5 V。
#4063178
12. 有關理想運算放大器的特性描述，下列何者錯誤？ (A) 開路電壓增益 \( A_{vo} \to \infty \)(B) 輸入阻抗 \( R_i \to \infty \)(C) 輸出阻抗 \( R_o \to \infty \)(D) 頻帶寬度 \( BW \to \infty \)
#4063179
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