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103年 - 103 台電新進僱用_電子學#22175
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30.承第 29 題,請問電流增益 i
o
/i
i
約為?
(A) 53
(B) 63
(C) 73
(D) 83
答案:
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統計:
A(159), B(37), C(15), D(16), E(0) #843881
詳解 (共 3 筆)
將鳥
B2 · 2017/12/04
#2518815
av=vo/viai=io/...
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7
0
Ting-wei Ciou
B4 · 2018/05/09
#2777428
Ri= 5K/rπ=0.53
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3
0
簡單不複雜
B3 · 2018/04/29
#2755385
ri怎麼算?
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0
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/26
私人筆記#7675102
未解鎖
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1
0
相關試題
31.數位電路中的正反器通常是? (A)單穩態多諧振盪器(B)間歇震盪器 (C)無穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
#843882
32.共基極放大器,在室溫 26℃下工作,電壓增益為 13,若直流工作點 IEQ=0.5 mA,則小信號 re電阻為多少歐姆(Ω)? (A) 52 Ω (B) 26 Ω (C) 13 Ω (D) 26 kΩ
#843883
33.Q1 是? (A) N 通道 JFET (B)增強型N通道MOSFET(C)增強型P通道MOSFET(D) P 通道 JFET
#843884
34.承第 33 題,求 ID的電流為多少? (A) 9 mA (B) 4 mA (C) 8 mA (D) 3 mA
#843885
35.某一 JFET 之 IDSS=10 mA,Vgs(OFF)=-5 V,試計算在偏壓點 Vgs=-2 V 的 gm值為何? (A) 1.2 mS (B) 1.8 mS (C) 2.4 mS (D) 5.6 mS
#843886
36. FET 電晶體與 BJT 電晶體兩者比較,下列何者有誤? (A) FET 易受溫度升高影響 (B) FET 輸入電阻較高 (C) BJT 操作速度較快 (D) FET 為電壓控制,BJT 為電流控制
#843887
37.某一 N 通道 JFET 的汲極飽和電流 IDss =27 mA ,汲極電流 ID=3 mA。若截止電壓(cut-off voltage) Vgs(off)= -3 V,則閘源極電壓 Vgs為多少? (A) 2 V (B) 1.414 V (C) -2 V (D) 0 V
#843888
38.有關 MOSFET 之敘述,下列何者有誤? (A)閘極與通道間使用二氧化矽以提高絕緣 (B) MOSFET 適於應用在大型積體電路數位系統 (C)空乏型 MOSFET 內部有預設通道 (D)增強型 MOSFET 在 Vgs=0 時工作在夾止區
#843889
39.如【圖 16】所示,VDS=10V,則 VGS=? (A) -2.5 V (B) -4.0 V (C) -5.5 V (D) -6.0 V
#843890
40.有關理想運算放大器 OPA 之特性描述,下列何者有誤? (A) 輸入電阻為∞ (B)輸出電阻為 0 (C)共模拒斥比為∞ (D)增益頻寬為 0
#843891
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