35 分析如圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm=1 mA/V 且操作於飽和區,臨界電壓 Vth=1 V,VGS=1.2 V,
求 RD=?
(A) 19 kΩ
(B) 25 kΩ
(C) 38 kΩ
(D) 45 kΩ

(A) 19 kΩ
(B) 25 kΩ
(C) 38 kΩ
(D) 45 kΩ
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統計: A(15), B(9), C(47), D(10), E(0) #845967
統計: A(15), B(9), C(47), D(10), E(0) #845967
詳解 (共 2 筆)
#1301721
gm=2(Id*K)^1/2 ; Id=K(1-Vgs/Vt)^2;得到Id,Vgs=Vg約等於Vd
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