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捷運◆電子學
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103年 - 10305 桃園捷運:電子學#59465
> 試題詳解
7.如【圖 7】電路所示,假設 V
T
=4V、V
DD
=24V 且已知 V
GS
=10V 時 I
D
=7.2mA,欲使 V
DS
=8V,則 R
D
為何?
(A)1KΩ
(B) 5KΩ
(C)10KΩ
(D) 50KΩ
答案:
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統計:
A(5), B(27), C(7), D(0), E(0) #1510025
詳解 (共 2 筆)
jetaineo
B2 · 2018/02/06
#2615155
ID=IDSS(1-VGS/VT)^27...
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Ma
B1 · 2017/06/03
#2242951
求解~~
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相關試題
8.本質半導體中,若在平衡的狀態下,則自由電子濃度(n)、 電洞濃度(p)與本質濃度(ni)三者關係為何? (A)n=p>ni (B) n=p=ni (C)n>p>ni (D) n<p<ni
#1510026
9.如【圖 9】所示電路,假設二極體為理想,當 Vi=4+6sin314tV 時,則 Vo 輸出電壓為何? (A)5V (B) 12V (C)14V (D) 22V
#1510027
10.如【圖 10】所示電路,假設運算放大器為理想且所有電晶體 VBE 皆為 0.7V,若 VA=5V、VB=3V, 則 Vo 輸出電壓為何? (A)-10V (B) 3V (C)5V (D) 10V
#1510028
11.有關半導體之敘述,下列何者正確? (A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性 (B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電 (C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成 (D)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(VBR)較鍺(Ge)質半導體為高
#1510029
12.有關稽納二極體崩潰種類之比較,下列敘述何者正確? (A)稽納崩潰之崩潰電壓較累増崩潰之崩潰電壓為高 (B)稽納崩潰之空乏區寬度較累増崩潰之崩潰電壓為窄 (C)累増崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較低且具有負溫度係數 (D)稽納崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較高且具有正溫度係數
#1510030
13.有關電晶體放大電路之比較,下列敘述何者正確? (A)輸入阻抗 CB>CE>CC (B)輸出阻抗CE>CC>CB (C)電流增益CC>CB>CE (D)功率增益 CE>CB>CC
#1510031
14.如【圖 14】所示電路,求稽納二極體之消耗功率 PZ 為何? (A)6mW (B) 12mW (C)24mW (D) 48mW
#1510032
15.如【圖 15】所示電路,若想要有最大功率轉移,則圖中變壓器初級與次級線圈之圈數比(N1:N2)為何? (A)N1:N2 = 4:20 (B) N1:N2 = 5:1 (C)N1:N2 = 1:4 (D) N1:N2 = 2:3
#1510033
16.積體電路內之串級放大器電路,大部分採用下列何種耦合方式? (A)直接耦合 (B)電阻電容耦合 (C)電阻電感耦合 (D)變壓器耦合
#1510034
17.如【圖 17】所示電路,若 Q1 與 Q2 電晶體特性相同,β=100 且 VBE=0.7V,則 I 電流為何? (A)2.35mA (B) 2.5mA (C)5mA (D) 10mA
#1510035
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