(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)

(二)甲自 105 年購入一筆土地，即違反本條規定，惟直到 114 年經檢舉始由主管機關予以裁罰新臺幣 6 萬元，並命其停止使用並拆除其地上物恢復原狀。甲抗辯主管機關之前揭處分已逾行政罰之裁處權時效，甲之抗辯有無理由？（15 分）參考法條：行政罰法第 27 條第 1 項：行政罰之裁處權，因三年期間之經過而消滅。行政罰法第 27 條第 2 項：前項期間，自違反行政法上義務之行為終了時起算。但行為之結果發生在後者，自該結果發生時起算。