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98年 - 98 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#47838
> 申論題
五、⑴請說明快閃記憶體(Flash memory)。(10 分)
相關申論題
一、如圖一所示電路,其中電晶體之kn’ =10μA/V2,Vt=1V,VA=100V,W/L=20,同時 IREF=200μA,求gm1,ro1,ro2,Av及Ro等,若輸出端接上 15kΩ之電阻,其電壓增益 又是多少?(20 分)
#165205
二、如 圖 二 所 示 電 路 , 其 中 V DD =10V , R 1 =2MΩ , R 2 =6kΩ , R=10kΩ , V t =2V , kn’ · (W/L)=0.5 mA/V2,利用反饋分析的方法計算其電壓增益Vo/Vs,輸入阻抗及 輸出阻抗。(20 分)
#165206
三、如圖三為雙極性電晶體B類輸出級(class B output stage)放大器,忽略VBE , VCE(sat) 之 效 應 , VCC=8V , RL=50Ω , 求 最 大 弦 波 輸 出 功 率 ( maximum sine-wave output power)PL max為何?電源供應功率(supply power)Ps為何?功率轉換效率 (power conversion efficiency)η為何?(20 分)
#165207
四、⑴請說明曾納崩潰(Zener Breakdown)。(10 分)
#165208
⑵請說明 P-N 二極體爲何有整流特性。(10 分)
#165209
⑵請說明光罩可程式唯讀記憶體(Mask Programmable ROMs)。(10 分)
#165211
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
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