五、圖五 NMOS 邏輯電路，VDD = 2.5 V，電晶體參數為 kn' = 100 μA/V 2 ， VTND = 0.4 V，VTNL = −0.6 V，(W/L)D = 8，(W/L)L = 1。忽略本體效應(body ，試求當輸入電壓 vA = vB = 2.5 V 時的輸出電壓 vo，下標 D 指電晶 effect) 體 MDA 與 MDB，下標 L 指電晶體 ML。(20 分)
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五、圖五 NMOS 邏輯電路，VDD = 2.5 V，電晶體參數為 kn' = 100 μA/V 2 ， VTND = 0.4 V，VTNL = −0.6 V，(W/L)D = 8，(W/L)L = 1。忽略本體效應(body ，試求當輸入電壓 vA = vB = 2.5 V 時的輸出電壓 vo，下標 D 指電晶 effect) 體 MDA 與 MDB，下標 L 指電晶體 ML。(20 分)