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研究所、轉學考(插大)◆英文閱讀與寫作

研究所、轉學考(插大)◆德文翻譯與寫作

研究所、轉學考(插大)◆細胞暨分子生物學

115年 - 115 原住民族特種考試_四等_法警：刑法與刑事訴訟法概要#144481(27題)

115年 - 115 國際經濟商務特種考試_三等_國際經濟商務人員類科國際經貿法律組：國際法（含國際公法、條約締結法、維也納條約法公約）#144480(4題)

115年 - 115 民航特種考試_三等_適航檢查：民用航空器及發動機系統#144479(8題)

115年 - 115 原住民族特種考試_三等_原住民族行政：臺灣原住民族史#144478(4題)

115年 - 115 民航特種考試_三等_適航檢查：適航作業規則#144477(4題)

115年 - 115 民航特種考試_三等_飛航管制：航空運輸#144476(4題)

115年 - 115 原住民族特種考試_三等_社會工作：社會工作方法與實務#144475(6題)

115年 - 115 原住民族特種考試_三等_地政：土地法規（包括土地登記）#144474(4題)

115年 - 115 原住民族特種考試_三等_人事行政：現行考銓制度#144473(4題)

115年 - 115 原住民族特種考試_三等_社會工作：人類行為與社會環境#144472(4題)

7. Which of the following trans complexes would you expect to react most rapidly with CO? (3%)(A) Cr(CO)4(PPh3)2 (B) Cr(CO)4(PPh3)(PBu3) (Bu = n-butyl)(C) Cr(CO)4(PPh3)[P(OMe)3] (D) Cr(CO)4(PPh3)[P(OPh)3

6. Which of the following complexes have18-electron valence configurations? (3%)(A) Ir(CO)Cl(PPh3)2 (B) RhCl(PPh3)3 (C) [Ni(CN)4]2- (D) [V(CO)7]+

5. What is the ground term for the configuration of d8 (Oh symmetry) (3%)(A) 3F4 (B) 5D0 (C) 2T2g (D)2Eg

5. Find the solution of the following equation: (20%)Uxy+2Ux=X , satisfying contion U(0,y)=0, Ux(x,0)=X2

(b) (10%)

(a) (10%)

AI初級-科目1-L11101 AI的定義與分類

講師：ABEL WANG

簡介：iPAS◆AI應用規劃師◆初級課程主要分為科目1:L11人工智慧基礎概論(9個單元)，科目2:生成式 AI應用與規劃(7個...

選修化學ＩＩ 題目演練

講師：Kai

簡介：延續 108 課綱規劃，聚焦於更進一步的核心主題，包括 原子結構與週期表趨勢、化學鍵與分子形狀、化學平衡與...

刑法總則(上)

講師：penguin

簡介：本課程將結合筆者的考試經驗，將以條列式的方式幫您整理每個法條的重點所在，也會利用歷屆試題幫考生快速複...

重點

描述：重點

比例原則與法律保留原則

描述：比例原則與法律保留原則之重點

興建農舍的規定

描述：農舍之規定

15. To tell the truth ________right. (A) were (B) done (C) is (D) are

16. The red car is ________, not yours. (A) bright (B) old (C) big (D) mine

17. John looks taller________ Peter. (A) than (B) under (C) off (D) between

1. 已知甲乙兩農產品為替代品且產季相同，以下哪一種情形會使甲產品的市場交易價格下降? (A)甲產品供給增加 (B)消費者所得增加 (C)乙產品價格增加 (D)乙產品需求增加

複選題29.某直轄市交通警察大隊收受所轄直屬分隊送交之違反道路交通管理事件後，應做哪些處置？ (A)移送違反道路交通管理事件，應設簿登記或輸入電腦資料檔案，以備查考 (B)應審查該事件填記內容是否符合規定、附件是否齊全 (C)發現不符規定或附件欠缺者，協調補正後再行移送處罰機關 (D)發現內容填記錯誤者，應即日通知被通知人更正 (E)發現內容填記錯誤者，距移送處罰機關之期限未達 3 日之情況急迫時，得經處罰機關核准 後逕為更正

(四)根據歷史數據顯示，該極紫外光曝光機在對每片晶圓進行曝光時，特 定關鍵區域「無微粒缺陷」 (即完全達標合格)的機率為 0.3，且每片 晶圓的檢測結果彼此相互獨立。若該區域出現微粒缺陷，則視為一次 「出錯或失敗」 。工程師為了進行設備耐受度測試，設定曝光機必須直 到累積發生第 2 次「無微粒缺陷」 (合格)時才停止測試。令隨機變數 W 表示在此期間該曝光機所累積的「出錯(失敗)次數」 。請寫出 W 的機率密度函數。