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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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104年 - [無官方正解]104 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班招生考試試題_電子物理學系:電子學#146062
> 試題詳解
12. 當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 N 型半導體之空乏層內應有
(A)電洞
(B)電子
(C)負離子
(D)正離子 。
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16. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。
#182990
18 當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 N 型半導體之空乏層內應有? (A)電子 (B)電洞 (C)負離子 (D)正離子
#2080387
8. 當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 N 型半導體之空乏層內應有? (A)電子 (B)電洞 (C)負離子 (D)正離子
#2080777
31. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有: (A) 電子 (B) 電洞 (C) 正離子 (D) 負離子
#2509316
56.當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 P 型半導體之空乏層內應有: (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子
#2552423
13. 如圖四所示電路,稽納二極體的崩潰電壓為 6V,則IZ 為多少?(A)0.05A (B)0.1A (C)0.25A (D)0.5A 。
#4062080
14. NPN 電晶體電路中,電源電流由(A)基極流向集極 (B)射極流向集極 (C)射極流向基極 (D)基極流向射極。
#4062081
15. 如圖五之電路,若兩電晶體之特性一樣,VCC>>VBE,,RC=R2,則 Vo 約等於(A)VCC (B) (C) (D)。
#4062082
16. 在電晶體三種組態電路中,哪一種組態電流增益最高?(A)共射極放大電路 (B)共集極放大電路 (C)共基極放大電路 (D)共汲極放大電路。
#4062083
17. 電晶體 CE 放大電路,加入射極電阻而不加旁路電容可以(A)提高輸入阻抗 (B)降低輸出阻抗 (C)降低輸入阻抗 (D)增加非線性失真。
#4062084
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