104年 - [無官方正解]104 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班招生考試試題_電子物理學系：電子學#146062

1. 當施加一逆向偏壓於 pn 二極體時，其空乏區 (Depletion Region) 寬度會：(A)變寬 (B)不變 (C)變窄 (D)等於零。

2. 在矽材料中加入三價元素，何者正確?(A)濃度不變　　　　 (B)電洞濃度增加　(C)電子濃度增加 (D)電子與電洞濃度都增加。

3. 圖一中二極體 D₁ 的導通電壓為 0.7 V，則輸出電壓 V_o 為?
(A) 5.65 V (B) 3.65 V (C) 2.65 V (D) 1.65 V。

4. 下列何者正確(A)自由電子位於價電帶(B)傳導帶中存在電洞(C)照光時價電帶中的電洞被激發到傳導帶(D)價電帶與傳導帶之間的能帶差稱為能帶間隙。

5. 要使 N 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極應外加　　(A)零電壓 (B)負電壓 (C)磁場 (D)正電壓。

6. 下列敘述何者不正確？(A)BJT 電晶體為雙載子電晶體 　(B)空乏型 MOSFET 閘極沒有外加電壓會導通(C)共集極放大器的電壓增益很大　(D) MOSFET 的閘極電流為零。

7. 如圖二運算放大器電路，其輸入電壓 V_i =5 mV，則輸出電壓為
(A) 50 mv (B) -50 mV (C) 40 mV (D) -40 mV。

8. 圖三的電晶體工作於主動區，若 V_BE = 0.7 V，則 R_B 為
(A)37.2 kΩ (B)47.2 kΩ (C)27.2 kΩ (D)17.2 kΩ。

9. 電晶體的歐萊效應(Early effect)是因為當 B–C 接面逆向偏壓增加時，何者有誤?(A)空乏區增大 (B)有效寬度 W_B 增大 (C) α 略增 (D) β 略增。

10. 有關 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？(V_GS 為閘極至源極之電壓)(A)空乏型 MOSFET 本身結構中並無通道存在(B)欲關掉空乏型 n 通道 MOSFET 其 V_GS 要接負電壓(C)增強型 p 通道 MOSFET 其 V_GS 若接正電壓則無法建立通道(D)增強型 p 通道 MOSFET 之臨界電壓(V_T)值為負。

11. 擴散電流之產生乃是　　　(A)半導體內載子濃度不同　 (B)半導體內出現外加電壓　　　　(C)半導體內出現溫度差　　 (D)以上皆非。

12. 當 P 型及 N 型材料相接觸時，即會產生一空乏層，而 N 型半導體之空乏層內應有(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子 。

13. 如圖四所示電路，稽納二極體的崩潰電壓為 6V，則I_Z 為多少？
(A)0.05A (B)0.1A (C)0.25A (D)0.5A 。

14. NPN 電晶體電路中，電源電流由(A)基極流向集極　(B)射極流向集極　(C)射極流向基極　(D)基極流向射極。

15. 如圖五之電路，若兩電晶體之特性一樣，V_CC>>V_BE，，R_C=R₂，則 V_o 約等於
(A)V_CC (B)　 (C)　 (D)。

16. 在電晶體三種組態電路中，哪一種組態電流增益最高？(A)共射極放大電路 　(B)共集極放大電路　(C)共基極放大電路 　(D)共汲極放大電路。

17. 電晶體 CE 放大電路，加入射極電阻而不加旁路電容可以(A)提高輸入阻抗 (B)降低輸出阻抗　(C)降低輸入阻抗 (D)增加非線性失真。

18. 在共基極放大電路中，信號輸入與輸出的是哪一隻接腳？(A)由 E 極輸入信號，由 C 極輸出信號　(B)由 B 極輸入信號，由 C 極輸出信號　(C)由 C 極輸入信號，由 B 極輸出信號　(D)由 C 極輸入信號，由 E 極輸出信號 。

19. 在放大器之頻率響應曲線上的截止頻率處之電壓增益，為其最大電壓增益的百分之多少？(A)36.8% (B)50% (C)63.2% (D)70.7% 。

20. 增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT 值的變化，請問以下何者對其影響最大？(A)金屬導電層厚度 (B)半導體層的厚度(C)二氧化矽的厚度 (D)金屬導電層的材質。

(a)汲極電流 I_D，

(b)截止電壓 V_GS(off)應為多少？

3. 如圖八所示電路，若已知電晶體之 g_m=0.2mA/V，r_d 可忽略不計，則電路之電壓増益約為多少?

(a)直流電壓增益V_o為多少？

(b)若輸入電壓改為交流電，則高頻時的電壓增益約為？