4. 兩耦合線圈 L1 = 4H、 L2 = 9H，已知其耦合係數 k = 0.5。若兩線圈通以直流電流I1= 2A、 I2 = 2A，且兩者磁通方向為互助，則此系統儲存之總磁能為多少焦耳？ (A)26 J (B)32 J (C)38 J (D)50 J

4. 兩耦合線圈 L1 = 4H、 L2 = 9H，已知其耦合係數 k = 0.5。若兩線圈通以直流電流I₁= 2A、 I₂ = 2A，且兩者磁通方向為互助，則此系統儲存之總磁能為多少焦耳？
(A)26 J
(B)32 J
(C)38 J
(D)50 J

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B1 · 2026/04/25

#7352706

互感：M = k√(L1·L2) = ...

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10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

4. 兩耦合線圈 L1 = 4H、 L2 = 9H，已知其耦合係數 k = 0.5。若兩線圈通以直流電流I₁= 2A、 I₂ = 2A，且兩者磁通方向為互助，則此系統儲存之總磁能為多少焦耳？
(A)26 J
(B)32 J
(C)38 J
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