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會計學概要
關務&稅務◆會計
專技◆消防設備師(士)◆消防法規
最新試卷
115年 - 115 高等考試_二級_醫學工程:生理學#145798(4題)
115年 - 115 高等考試_二級_動物技術:家畜生理學與解剖學#145797(6題)
115年 - 115 高等考試_二級_養殖技術:飼料營養學研究#145796(5題)
115年 - 115 高等考試_二級_各類科:國文(作文)#145795(2題)
115年 - 115 高等考試_二級_園藝:園藝作物育種學與園藝作物生理學#145794(8題)
115年 - 115 高等考試_二級_動物技術:畜產品加工與利用#145793(4題)
115年 - 115 高等考試_二級_養殖技術:養殖遺傳育種學研究#145792(4題)
115年 - 115 高等考試_二級_水產資源:水產資源學特論#145791(12題)
115年 - 115 高等考試_二級_水產資源:漁業技術研究#145790(4題)
115年 - 115 高等考試_二級_都市計畫技術:國土、區域與都市空間資訊理論與實務#145789(4題)
最新試題
146. 以一含內阻之電源提供負載功率,當負載獲得最大輸出功率時,其傳輸效率為何? 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%
145. 以 KCL 求解右圖示電路時,下列何者為節點 Vb 之正確表示式? 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0
144. 如下圖所示之電路,則電流 I 為多少安培? 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6
最新申論題
四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一,該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度,試說明何謂「量測不確定度」?並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。
三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項,並各舉一例其技術在刑案現場之應用。
(四)進行指紋比對時,研判兩枚指紋為個化結果之條件,除需紋型相符外,另需達 12 個指紋特徵點相符,其理由何在?(10 分)
最新課程
藥理學_歷屆國考題整理 (藥學系)
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小笨蛋
簡介:
題目來源:107-1~115-2專技高考-藥理學與藥物化學 (藥學系) *如發現課程有任何錯誤,請利用以下表單進行回...
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台中大雅家教-睿智數學及英文家教,王瑞志老師
簡介:
提供國中會考作文寫作六級分的高分秘訣,以及寫作模板。 #國中會考
【學士後中醫】化學 (普通化學、有機化學)
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寬識(已上榜、感謝阿摩與前輩)
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本課程提供給想要學習化學的同學,尤其是想要上榜學士後中醫的您。 題庫持續更新中! 對於沒有參加補習班...
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考衝班-國營事業必考英文專班
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易混淆高頻單字分組總整理-各類英文考試必備!
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各類英文考試必備!課程特色如下:1.從阿摩考試系統出題-只挑會考的2.一魚多吃字根字尾字首+諧音記憶法3.每...
圓周運動
課程:
國營物理
章節:
圓周運動與簡諧運動
簡諧運動
課程:
國營物理
章節:
圓周運動與簡諧運動
最新討論
73.下列那一個輻射源是中子射源? (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au
1 在卵受孕過程中,前三週之著床期(preimplantation)過度輻射曝露,最易造成那種後果? (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產
1. 有關下列之敘述,何者正確?(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅,其主管機關為經濟部。
2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物,並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後,因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險,下列何者最正確?(A) 因為是CIF,故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保,所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍,未加保時,該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。
20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭,下列何者錯誤? (A)長輩嫁女:摽梅迨吉 (B)好友遷居:良禽擇木 (C)晚輩訂婚:緣定三生 (D)親戚生兒:弄瓦徵祥
(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟,說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)