8. 圖三的電晶體工作於主動區，若 VBE = 0.7 V，則 RB 為(A)37.2 kΩ (B)47.2 kΩ (C)27.2 kΩ (D)17.2 kΩ。

10. 有關 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？(VGS 為閘極至源極之電壓)(A)空乏型 MOSFET 本身結構中並無通道存在(B)欲關掉空乏型 n 通道 MOSFET 其 VGS 要接負電壓(C)增強型 p 通道 MOSFET 其 VGS 若接正電壓則無法建立通道(D)增強型 p 通道 MOSFET 之臨界電壓(VT)值為負。