115年 - 115 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選試題：電子科#139845

12. 如下圖所示之電路，每相負載阻抗為 3+j4Ω，線電壓為220V，試求電路總功率 PT？ (A)1936 (B)5808 (C) 5808(D)17424 W。

13. 有兩個電流方程式分別為?1
(?) = 10 ???(120??) ?，?2(?) = 5 sin(120?? + 30°)?，則
此兩波形時間差為何？ (A)2.51 (B)1.02 (C)1.39 (D)1.53 ms。

14. 下列有關BJT元件編號的識別敘述，何者錯誤？ (A)2SC1384為高頻用NPN型BJT (B)CS9012為PNP型BJT (C)2SA684為低頻用PNP型BJT (D)CS9013為NPN型BJT。

15. 如下圖所示之電路，若電晶體β= 100、R1 = 30kΩ、R2 = 3kΩ、RE = 1.3 kΩ、RC = 9 kΩ、VBE = 0.7V，VCC =22V，則VCEQ =？(A)22.6 (B)5.5 (C)16.3 (D)11.7 V。

16. 運算放大器組成的電路圖如下圖所示，若飽和電壓為±13.5V，R₁ = 20kΩ，R₂ = 30kΩ ，R₃ = 10kΩ，R₄ = 1MΩ，C = 0.2μF，請問電路振盪頻率(f_o)約為多少？(A)187.5 (B)375 (C)750 (D)1500 Hz。

17. 如下圖所示為理想放大器接線圖，V1 = 2V，V2 = 5V，V3 = 6V，R1 = 10kΩ，R2 = 3kΩ ，R3 = 4kΩ，R4 = 6kΩ，請問VO約為多少？ (A)-7.6 (B)-8 (C)-9.4 (D)-10 V。

18. 關於稽納二極體之敘述，何者有誤？ (A)摻雜的濃度高則崩潰電壓較低。 (B)累增崩潰是由熱能產生的多數載子形成大量逆向飽和電流的現象。 (C)稽納崩潰時其稽納電壓為負溫度係數。 (D)稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作。

19. 如下圖所示之電路，D₁、D₂ 為理想二極體，求電阻 RL 功率範圍為何？ (A)0~11.25 (B)1.25~10.25 (C)0~1.25 (D) 0~7.5 mW。

20. 如下圖所示之電路，VBE =0.7V，β=100，輸入一個 V_{i (p-p)}=20mV 之正弦波，示波器 以【DC】模式觀察波形，則輸出電壓範圍應為何？(A)-5.7 ~ 5.7 (B)3.7 ~7.7 (C)4.3 ~ 6.3 (D)4.7 ~ 8.7 V。

21. 如下圖(a)所示為一CMOS反相器電路，圖(b)為其輸入輸出轉移特性曲線，試問該電路 最不消耗電源電能及最消耗電源電能分別是在輸入信號電壓A落於何區段位置？ (A)1，3 (B)2，4 (C)3，1 (D)4，2。 

22. 有一喇叭300Ω之輸出阻抗，將3V之音頻訊號輸入至放大器，而放大器又將30W之電功 率輸入至16Ω之揚聲器上，則此放大器之分貝功率增益為何？ (A)30 (B)40 (C)50 (D)60 dB。

23. 有關組成一個模數為249的計數器，下列敘述何者錯誤？ (A)若為強生計數器，則最少需使用124個JK正反器。 (B)若為環形計數器，則最少需使用249個D型正反器。 (C)若為二進位同步計數器，則最少需使用8個D型正反器。 (D)若為二進位漣波計數器，則最少需使用8個JK正反器。

24. 如下圖所示之計數器電路，下列何者正確？( Q₂ 為MSB，Q₀ 為LSB)

 (A)若由 Q₂Q₁Q₀ 端輸出，則該電路為非同步下數計數器。 (B)若由 Q₂Q₁Q₀端輸出，則該電路為同步上數計數器。 (C)若由端輸出，則該電路為同步上數計數器。 (D)若由端輸出，則該電路為非同步下數計數器。

25. 如右圖所示之電路，圖中 HA 表示半加器，則下列何者正確？ (A) W A B C A B C ( , , ) =   。 (B) X A B C ABC ( , , ) = ABC＋ 。 (C) Y A B C ( , , 1, 3, 5, 7 ) = ( ) 。 (D) Z A B C ( , , 0, 1, 2, 4, 6, 7 ) =( )。

26. 如下圖所示之計數器實驗電路，下列敘述何者正確？ (A)NE555 的 OUT 端可輸出約 100 Hz，工作週期 50 ％的方波信號。 (B)74LS90 所連接的電路為計數狀態 10 模的同步計數器。 (C)連接 74LS47 的開關 SW 若為 ON，則所連接的七段顯示器會全滅。 (D)七段顯示器為共陽極，連接 74LS47 的開關 SW 若為 OFF，則顯示的數字依序為0 , 2 , 4 , 6 , 8 , 1 , 3 , 5 , 7 , 9 , 0 , ……。

27. 有關CMOS IC推動TTLIC邏輯閘實驗，相關參數如下表所示，則下列敘述何者正確？ CMOS TTL4000B 74HC/HCT 74AC/ACT 74 74LS 74AS 74ALS OH (max) I0.4 mA 4 mA 24 mA IH(max) I40 μA 20 μA 0.2 mA 20 μA OL(max) I0.4 mA 4 mA 24 mA IL(max) I1.6 mA 0.4 mA 2 mA 0.1 mA (A)4000B 無法推動 74 系列，但可於 4000B 之輸出接上一個 1KΩ 的提升電阻來解決。 (B)4000B 可推動 10 個 74LS 系列邏輯閘。 (C)74HC/HCT 可推動 20 個 74AS 系列邏輯閘。 (D)74AC/ACT 可推動所有 TTL 系列邏輯閘。

1. 有兩線圈L₁、L₂，當其串聯互消(Series Opposing)時總電感為80H，串聯互助(Series Aiding) 時總電感為120H，已知L₁ = 4L₂，試問兩線圈為並聯互助(Parallel Aiding)時的總電感為 (1) _________ ，並聯互消 (Parallel Opposing)時的總電感為(2) _________ 。

2. 有一個 300 匝線圈的螺線管，其長度 L = 4π 公分，截面積 A = 10 平方公分，μ r = 20，若線圈 通以 5 安培的電流，試求：磁動勢(3) ___________ 安匝、磁通量(4)___________韋伯、儲存能 量(5) ___________焦耳。 

3. 二極體特性曲線量測實驗中，以下圖(a)電路進行測量，測得如圖(b)之特性曲線，圖中Q為工 作點；若二極體之 ηVT = 25mV ，且電路中之電壓表及電流表皆為理想，則圖(a)電路中 的電阻 R = (6)___________歐姆，二極體之靜態電阻 R_D = (7)___________歐姆。

4. 如下圖所示之空乏型MOSFET 放大電路，若空乏型MOSFET的 V _P =-4 ，I_DSS = 8mA ，且圖 中 為直流電源供應器，設定為供應 20V 電源；為信號產生器，設定為產生 V_P-P = 500mV 、1KHz 的正弦波； 為示波器，其 VOLTS/DIV 旋鈕設為 0.5V/DIV，用以顯示放大器輸出 波形，則示波器所顯示波形的峰對峰振幅占畫面的(8) _________格。

5. 如下圖所示之共基極放大器電路，電晶體之α＝0.99，V_BE＝0.7V，V_T＝25mV，請問電路之 交流動電阻 r_e =(9)__________ ，其電路之電壓放大率 AV == (10)_________ 。

6. 如下圖所示之電路，試求電阻 R 範圍為(11)__________。

(1)由 V_i 看入之輸入阻抗為(12)_________(2)電壓增益 V_O / V_i 為(13) _________。

8. 如下圖所示之電路，輸出端Y的布林代數式為(14)_________。

9. 請寫出下圖JK正反器設計一同步計數器的狀態表(15) _____________。

二、設計、證明題(每題8分，共16分)
1. 如下圖所示之電路，電晶體 Q₁、Q₂ 特性一樣，其中β₁=β₂=β，I_B1 =I_B2 = I_B，試證明 。

2. 某國家有A，B、C、D四個政黨，A黨有35%的委員，B黨有30%的委員，C黨有25%的委員，D黨有10%的委員，表決議案的時候，必須超過50%的委員同意，才算通過，投票的時候， 只有同意代表「1」及不同意代表「0」，不可以投廢票。最後結果，議案通過輸出「1」，不通 過輸出「0」。請設計一個投票的系統，並列出布林代數式，並畫出邏輯電路圖。備註：必須要有設計過程。