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陸軍聘僱◆E1C511專長

國軍文書檔案作業（含 國防部機關文書單位參謀作業）

研究所、轉學考(插大)◆大陸政策

115年 - 115 中央警察大學_博士班入學考試試題_警察政策研究所_警察法學組：警察法學#139747(4題)

115年 - 115 中央警察大學_博士班入學考試試題_警察政策研究所_警察行政組：警察學及警察行政#139745(4題)

115年 - 115 中央警察大學_博士班入學考試試題_刑事警察研究所：犯罪偵查學#139744(5題)

115年 - 115 中央警察大學_博士班入學考試試題_犯罪防治研究所：犯罪學#139743(4題)

115年 - 115 中央警察大學_學士班二年制技術系入學考試試題：憲法#139741(20題)

115年 - 115 中央警察大學_學士班二年制技術系入學考試試題：國文#139739(20題)

115年 - 115 中央警察大學_學士班二年制技術系入學考試試題：英文#139738(40題)

115年 - 115 中央警察大學_學士班二年制技術系入學考試試題_刑事警察學系：刑法與刑事訴訟法#139737(40題)

115年 - 115-1 核能安全委員會_輻射安全證書：游離輻射防護專業#139734(50題)

115年 - 115-1 行政院原子能委員會_輻射防護員：游離輻射防護專業#139730(28題)

200. 鄉立托兒所16所分散於各村落，擬由各托兒所依統一餐點表自行辦理採購，合於政府採購法施行細則第13條所稱之依不同供應地區所分別辦理者。(A)O(B)X

199. 鄉立托兒所16所分散於各村落，擬由各托兒所依統一餐點表自行辦理採購，違反政府採購法第14條之規定。(A)O(B)X

198. 中央機關承辦採購單位辦理小額採購，於開標、比價、議價、決標及驗收時，得不通知主(會)計或有關單位派員監辦。(A)O(B)X

7. 試說明造水機之防蝕設施有那些？

6. 燃油閥之維護與保養中，試說明拆檢燃油閥的內容？

5. 請繪圖說明冷媒之加充法及步驟。

測試科目選擇器

講師：IDeath

簡介：123123

捷夫老師的升學/公職申論寫作精修班：「架構→邏輯→實戰」得分關鍵

講師：Jeff Chen

簡介：您是否也曾在考場上面對申論題，感到腦中一片空白？ 或是寫了滿滿兩頁，分數卻總是不如預期？ 離題、內容空...

【A'phar 藥物分析】 單元式歷屆考題彙整

講師：A'phar

簡介：收錄114-1~100-1近15年歷屆試題 Corporation with A'phar

民法 編債 第 501 條

課程：民法 編債
章節：第 二 章 各種之債 第 八 節 承攬

描述：第四百九十八條及第四百九十九條所定之期限，得以契約加長。但不得減短。

民法 編債 第 501-1 條

課程：民法 編債
章節：第 二 章 各種之債 第 八 節 承攬

描述：以特約免除或限制承攬人關於工作之瑕疵擔保義務者，如承攬人故意不告知其瑕疵，其特約為無效。

民法 編債 第 502 條

課程：民法 編債
章節：第 二 章 各種之債 第 八 節 承攬

描述：因可歸責於承攬人之事由，致工作逾約定期限始完成，或未定期限而逾相當時期始完成者，定作人得請求減少報酬...

44.北海公司出售舊機器收到$60，000，則: (A)營運活動現金流量減少 (B)籌資活動現金流量減少 (C)現金流量率下降 (D)投資活動現金流量增加

75.此研究為何種流行病學研究法？ (A)追蹤性世代研究法 (B)回溯性世代研究法 (C)病例對照研究法 (D)巢式病例對照研究法

3. 根據民國111年6月22日公布之「醫療事故預防及爭議處理法」，醫療機構應於醫療事故發生之 翌日起多少個工作日內，向病人、家屬或其代理人說明、溝通，並提供協助及關懷服務？ (A) 三個工作日 (B) 五個工作日 (C) 七個工作日 (D) 十個工作日

6. 66 歲王先生，急性腦中風後家屬想了解其失能程度，及有關「全民健康保險急性後期整合 照護計畫」中對於腦中風急性後期照護模式與規範，下列敘述何者錯誤？ (A) 收案對象為急性腦中風發作滿3個月，且病況穩定之病人 (B) 急性腦中風後治療的黃金期，復健成效最好的時間是發病後3 - 6個月 (C) 轉到急性後期照護醫院，可以讓失能狀況改善，再住院率與一年內死亡率下降 (D) 急性後期照護團隊，依病人評估結果安排適當之急性後期整合照護模式

41.下列何者是腔內近接治療中，治療子宮頸癌使用的裝置？ (A)Catphan (B)Fletcher-Suit applicator (C)cone (D)bolus

複選題43.臨床血管內近接治療，下列何者並不是β射源優於γ射源之特性？ (A)在靶區範圍內有較佳的劑量均勻性 (B)高劑量率 (C)所需射源活性（activity required）較小 (D)所需屏蔽厚度較厚